型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R96505+￥5.089525+￥4.712550+￥4.4486100+￥4.3355500+￥4.26012500+￥4.16595000+￥4.128210000+￥4.0716 -
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品类: MOS管描述: N沟道 400V 2A900310+￥0.972050+￥0.9216100+￥0.8856300+￥0.8640500+￥0.84241000+￥0.82082500+￥0.78845000+￥0.7812 -
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品类: MOS管描述: 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET661810+￥0.837050+￥0.7936100+￥0.7626300+￥0.7440500+￥0.72541000+￥0.70682500+￥0.67895000+￥0.6727 -
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 7A79215+￥2.052025+￥1.900050+￥1.7936100+￥1.7480500+￥1.71762500+￥1.67965000+￥1.664410000+￥1.6416 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。722310+￥7.6320100+￥7.2504500+￥6.99601000+￥6.98332000+￥6.93245000+￥6.86887500+￥6.817910000+￥6.7925 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R323710+￥7.8720100+￥7.4784500+￥7.21601000+￥7.20292000+￥7.15045000+￥7.08487500+￥7.032310000+￥7.0061 -
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品类: MOS管描述: N沟道 500V 2.6A63525+￥4.023025+￥3.725050+￥3.5164100+￥3.4270500+￥3.36742500+￥3.29295000+￥3.263110000+￥3.2184 -
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品类: MOS管描述: N沟道 500V 1.6A958310+￥1.134050+￥1.0752100+￥1.0332300+￥1.0080500+￥0.98281000+￥0.95762500+￥0.91985000+￥0.9114 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 7.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R97405+￥1.471525+￥1.362550+￥1.2862100+￥1.2535500+￥1.23172500+￥1.20455000+￥1.193610000+￥1.1772 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 335mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT185710+￥9.6720100+￥9.1884500+￥8.86601000+￥8.84992000+￥8.78545000+￥8.70487500+￥8.640310000+￥8.6081 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R24125+￥12.647750+￥12.1072200+￥11.8045500+￥11.72891000+￥11.65322500+￥11.56675000+￥11.51277500+￥11.4586 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53315+￥6.318025+￥5.850050+￥5.5224100+￥5.3820500+￥5.28842500+￥5.17145000+￥5.124610000+￥5.0544 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60815+￥2.389525+￥2.212550+￥2.0886100+￥2.0355500+￥2.00012500+￥1.95595000+￥1.938210000+￥1.9116 -
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品类: MOS管描述: FDD16AN08A0 系列 75 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA71935+￥6.588025+￥6.100050+￥5.7584100+￥5.6120500+￥5.51442500+￥5.39245000+￥5.343610000+￥5.2704 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。35035+￥5.089525+￥4.712550+￥4.4486100+￥4.3355500+￥4.26012500+￥4.16595000+￥4.128210000+￥4.0716 -
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品类: MOS管描述: 80V,4.2mΩ,100A,N沟道MOSFET15585+￥14.086850+￥13.4848200+￥13.1477500+￥13.06341000+￥12.97912500+￥12.88285000+￥12.82267500+￥12.7624 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 14A DPAK90351+￥53.667810+￥50.5885100+￥48.3010250+￥47.9491500+￥47.59721000+￥47.20132500+￥46.84945000+￥46.6294 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60625+￥3.469525+￥3.212550+￥3.0326100+￥2.9555500+￥2.90412500+￥2.83995000+￥2.814210000+￥2.7756 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。662810+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。319510+￥7.7280100+￥7.3416500+￥7.08401000+￥7.07112000+￥7.01965000+￥6.95527500+￥6.903710000+￥6.8779 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60435+￥4.090525+￥3.787550+￥3.5754100+￥3.4845500+￥3.42392500+￥3.34825000+￥3.317910000+￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。66885+￥1.363525+￥1.262550+￥1.1918100+￥1.1615500+￥1.14132500+￥1.11615000+￥1.106010000+￥1.0908 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD050N03B, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装30065+￥4.266025+￥3.950050+￥3.7288100+￥3.6340500+￥3.57082500+￥3.49185000+￥3.460210000+￥3.4128
